IT之家1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。據(jù)今日Tom's Hardware帶來的消息，三星計(jì)劃最早在2021年開始量產(chǎn)3nm工藝芯片。
除此之外，三星方面還表示，將在今年下半年開始生產(chǎn)7nm EUV芯片。在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或稱“環(huán)繞式結(jié)構(gòu)FET”）工藝。不過包括Garner副總裁Samuel Wang在內(nèi)的一些業(yè)內(nèi)人士，對GAAFET芯片是否能在2022年前投入生產(chǎn)表示了懷疑。
雖然臺積電、格羅方德Global Foundries）在EUV芯片開發(fā)上方面并不落后，但三星也有自己的一個優(yōu)勢。三星已經(jīng)在內(nèi)部開發(fā)了自家了EUV掩膜檢測工具，只是尚未開發(fā)出類似的商業(yè)工具。
除此之外，三星方面還表示，將在今年下半年開始生產(chǎn)7nm EUV芯片。在去年，三星還表示將在2020年用上4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或稱“環(huán)繞式結(jié)構(gòu)FET”）工藝。不過包括Garner副總裁Samuel Wang在內(nèi)的一些業(yè)內(nèi)人士，對GAAFET芯片是否能在2022年前投入生產(chǎn)表示了懷疑。
雖然臺積電、格羅方德Global Foundries）在EUV芯片開發(fā)上方面并不落后，但三星也有自己的一個優(yōu)勢。三星已經(jīng)在內(nèi)部開發(fā)了自家了EUV掩膜檢測工具，只是尚未開發(fā)出類似的商業(yè)工具。
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